3篇
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| 1 | MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较显示文摘用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长的材料和相关器件进行了比较 ,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求 . | 李娜 李宁 陆卫 窦红飞 陈张海 刘兴权 沈学础 H.H.Tan LanFu C.Jagadish M.B.Johnston M.Gal | 2000 | Journal of Semiconductors2000，21，5： | 5 |
| 2 | 一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管显示文摘利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其IV特性,器件模拟结果和测试结果基本一致. | 郭维廉 齐海涛 张世林 钟鸣 梁惠来 毛陆虹 宋瑞良 周均铭 王文新 C.Jagadish 傅岚 | 2005 | Journal of Semiconductors2005，26，9： | 1 |
| 3 | V形GaAs/AlGaAs量子线结构的微区光致发光谱研究显示文摘在室温下用显微光致发光的方法对单根V形GaAs/AlGaAs量子线进行了沿垂直于量子线方向的空间分辨扫描测试 ,观察到各种量子结构的光致发光谱随空间位置的变化 .在量子线区域附近观察到来自量子线 (QWR)、颈部量子阱 (NQWL)和垂直量子阱 (VQWL)等各种结构的发光 ,而在距离量子线约 1μm以远的发光光谱表现出侧面量子阱 (SQWL)的发光 .对全部发光光谱用高斯线形进行了拟合 ,发现QWR和SQWL的发光包含了两个荧光峰 ,将它们分别归诸为电子到轻、重空穴的跃迁 .拟合后发光强度的空间变化直接确定了与量子线结构相关的发光起源 ,并且反映出由于载流子由SQWL迁移进入QWR造成SQWL发光峰的淬灭 . | 李志锋 陆卫 刘兴权 沈学础 Y.FU M.WILLANDER H.H.TAN C.JAGADISH | 2000 | 物理学报2000，49，9： | 0 |
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